Ministerio de Economía, Comercio y Empresa. I. Disposiciones generales. Comercio exterior. (BOE-A-2025-10778)
Orden ECM/551/2025, de 30 de mayo, por la que se modifican los anexos I.1, III.1, III.3, III.4 y III.5 del Reglamento de control del comercio exterior de material de defensa, de otro material y de productos y tecnologías de doble uso, aprobado por el Real Decreto 679/2014, de 1 de agosto.
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No ocultamos, cambiamos o tergiversamos la información, simplemente somos un altavoz organizado de los boletines oficiales de España.
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BOLETÍN OFICIAL DEL ESTADO
Sábado 31 de mayo de 2025
Sec. I. Pág. 71011
3B911
Equipos o sistemas de deposición para la fabricación de semiconductores.
Equipos diseñados para fabricar un contacto metálico mediante un
procesamiento de múltiples pasos dentro de una única cámara, realizando todo
lo siguiente:
a. Deposición de una capa de tungsteno, utilizando un precursor de
compuesto organometálico, mientras se mantiene la temperatura del sustrato
de la oblea a una temperatura superior a 373,15 K (100 °C) e inferior a 773,15
K (500 °C); y
b. Proceso de plasma para el tratamiento de superficies utilizando hidrógeno,
hidrógeno y nitrógeno, o amoníaco (NH3).
3E916
Tecnología para la fabricación de semiconductores mediante equipos por
contacto metálico especificados en 3B911.
3B912
Equipos o sistemas de deposición para la fabricación de semiconductores, por
deposición de una capa de rutenio utilizando un precursor de compuesto
organometálico, manteniendo el sustrato de la oblea a una temperatura
superior a 293,15 K (20 °C) e inferior a 773,15 K (500 °C).
3E917
Tecnología para la fabricación de semiconductores mediante equipos por
contacto metálico especificados en 3B911.
3A908
Sistemas y componentes de refrigeración criogénica, según se indica a
continuación:
a. Sistemas diseñados para proporcionar una potencia de refrigeración mayor
o igual a 600µW a una temperatura de 0,1 K (-273,05 °C) o inferior durante un
período de más de 48 horas;
b. Criorrefrigeradores de tubo de impulsos de dos etapas diseñados para
mantener una temperatura inferior a 4 K (-269,15 °C) y proporcionar una
potencia de refrigeración mayor o igual a 1,5 W a una temperatura de 4,2 K
(-268,95 °C) o inferior.
3E918
Tecnología para la fabricación de semiconductores mediante equipos por
contacto metálico especificados en 3B908.
3A909
Circuitos integrados que tengan una tasa de transferencia bidireccional
agregada de 600 Gbyte/s o más en todas las entradas y salidas y hacia o
desde otros circuitos integrados que no incluyan memorias volátiles, y que
tengan o sean programables para tener cualquiera de las siguientes
características:
a. Una o más unidades de procesamiento digital que ejecuten instrucciones de
máquina que tengan un «rendimiento de procesamiento total» de 6000 o más;
b. Una o más «unidades computacionales primitivas» digitales, excluidas
aquellas unidades que contribuyan a la ejecución de instrucciones de máquina
especificadas en 3A909.a, que tengan un «rendimiento de procesamiento
total» de 6000 o más;
c. Una o más «unidades computacionales primitivas» analógicas que tengan
un «rendimiento de procesamiento total» de 6000 o más; o
d. Cualquier combinación de unidades de procesamiento digital y “unidades
computacionales primitivas” en un circuito integrado cuyo “rendimiento de
procesamiento total” en los puntos 3A909.a, 3A909.b y 3A909.c sume 6.000 o más.
Nota: Los circuitos integrados especificados en el punto 3A909 incluyen
unidades de procesamiento gráfico (GPU), unidades de procesamiento
tensorial (TPU), procesadores neuronales, procesadores en memoria,
procesadores de visión, procesadores de texto, coprocesadores/aceleradores,
procesadores adaptativos, dispositivos lógicos programables en campo (FPLD)
y circuitos integrados específicos de la aplicación (ASIC).
N.B. Para “computadoras digitales” y “conjuntos electrónicos” que contengan
circuitos integrados especificados en el punto 3A909, véase también el artículo
4A006 del Reglamento (UE) 2021/821 de 20 de mayo.
Notas técnicas:
A los efectos de 3A909:
1. El “rendimiento total de procesamiento” (“TPP”) es la longitud de bits por
operación multiplicada por el rendimiento de procesamiento medido en Tera
cve: BOE-A-2025-10778
Verificable en https://www.boe.es
Núm. 131
Sábado 31 de mayo de 2025
Sec. I. Pág. 71011
3B911
Equipos o sistemas de deposición para la fabricación de semiconductores.
Equipos diseñados para fabricar un contacto metálico mediante un
procesamiento de múltiples pasos dentro de una única cámara, realizando todo
lo siguiente:
a. Deposición de una capa de tungsteno, utilizando un precursor de
compuesto organometálico, mientras se mantiene la temperatura del sustrato
de la oblea a una temperatura superior a 373,15 K (100 °C) e inferior a 773,15
K (500 °C); y
b. Proceso de plasma para el tratamiento de superficies utilizando hidrógeno,
hidrógeno y nitrógeno, o amoníaco (NH3).
3E916
Tecnología para la fabricación de semiconductores mediante equipos por
contacto metálico especificados en 3B911.
3B912
Equipos o sistemas de deposición para la fabricación de semiconductores, por
deposición de una capa de rutenio utilizando un precursor de compuesto
organometálico, manteniendo el sustrato de la oblea a una temperatura
superior a 293,15 K (20 °C) e inferior a 773,15 K (500 °C).
3E917
Tecnología para la fabricación de semiconductores mediante equipos por
contacto metálico especificados en 3B911.
3A908
Sistemas y componentes de refrigeración criogénica, según se indica a
continuación:
a. Sistemas diseñados para proporcionar una potencia de refrigeración mayor
o igual a 600µW a una temperatura de 0,1 K (-273,05 °C) o inferior durante un
período de más de 48 horas;
b. Criorrefrigeradores de tubo de impulsos de dos etapas diseñados para
mantener una temperatura inferior a 4 K (-269,15 °C) y proporcionar una
potencia de refrigeración mayor o igual a 1,5 W a una temperatura de 4,2 K
(-268,95 °C) o inferior.
3E918
Tecnología para la fabricación de semiconductores mediante equipos por
contacto metálico especificados en 3B908.
3A909
Circuitos integrados que tengan una tasa de transferencia bidireccional
agregada de 600 Gbyte/s o más en todas las entradas y salidas y hacia o
desde otros circuitos integrados que no incluyan memorias volátiles, y que
tengan o sean programables para tener cualquiera de las siguientes
características:
a. Una o más unidades de procesamiento digital que ejecuten instrucciones de
máquina que tengan un «rendimiento de procesamiento total» de 6000 o más;
b. Una o más «unidades computacionales primitivas» digitales, excluidas
aquellas unidades que contribuyan a la ejecución de instrucciones de máquina
especificadas en 3A909.a, que tengan un «rendimiento de procesamiento
total» de 6000 o más;
c. Una o más «unidades computacionales primitivas» analógicas que tengan
un «rendimiento de procesamiento total» de 6000 o más; o
d. Cualquier combinación de unidades de procesamiento digital y “unidades
computacionales primitivas” en un circuito integrado cuyo “rendimiento de
procesamiento total” en los puntos 3A909.a, 3A909.b y 3A909.c sume 6.000 o más.
Nota: Los circuitos integrados especificados en el punto 3A909 incluyen
unidades de procesamiento gráfico (GPU), unidades de procesamiento
tensorial (TPU), procesadores neuronales, procesadores en memoria,
procesadores de visión, procesadores de texto, coprocesadores/aceleradores,
procesadores adaptativos, dispositivos lógicos programables en campo (FPLD)
y circuitos integrados específicos de la aplicación (ASIC).
N.B. Para “computadoras digitales” y “conjuntos electrónicos” que contengan
circuitos integrados especificados en el punto 3A909, véase también el artículo
4A006 del Reglamento (UE) 2021/821 de 20 de mayo.
Notas técnicas:
A los efectos de 3A909:
1. El “rendimiento total de procesamiento” (“TPP”) es la longitud de bits por
operación multiplicada por el rendimiento de procesamiento medido en Tera
cve: BOE-A-2025-10778
Verificable en https://www.boe.es
Núm. 131
