Ministerio de Economía, Comercio y Empresa. I. Disposiciones generales. Comercio exterior. (BOE-A-2025-10778)
Orden ECM/551/2025, de 30 de mayo, por la que se modifican los anexos I.1, III.1, III.3, III.4 y III.5 del Reglamento de control del comercio exterior de material de defensa, de otro material y de productos y tecnologías de doble uso, aprobado por el Real Decreto 679/2014, de 1 de agosto.
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No ocultamos, cambiamos o tergiversamos la información, simplemente somos un altavoz organizado de los boletines oficiales de España.
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BOLETÍN OFICIAL DEL ESTADO
Sábado 31 de mayo de 2025
Sec. I. Pág. 71010
3E914
Tecnología para la fabricación de equipos para la manufactura de
semiconductores especificados en 3B909.
3B910
Equipos o sistemas de deposición para la fabricación de semiconductores,
según se indica a continuación. Equipos diseñados para el procesamiento en
múltiples etapas en múltiples cámaras y que mantienen un alto vacío o un
entorno inerte durante la transferencia entre etapas del proceso, según se
indica a continuación:
a. Equipos diseñados para fabricar un contacto metálico mediante la
realización de todos los procesos siguientes:
1. Proceso de plasma de tratamiento de superficies que utiliza hidrógeno,
hidrógeno y nitrógeno, o amoníaco (NH3), mientras se mantiene el sustrato de
la oblea a una temperatura superior a 373,15 K (100 °C) e inferior a 773,15 K
(500 °C);
2. Proceso de plasma de tratamiento de superficies que utiliza oxígeno u
ozono, mientras se mantiene el sustrato de la oblea a una temperatura superior
a 313,15 K (40 °C) e inferior a 773,15 K (500 °C); y
3. Deposición de una capa de tungsteno manteniendo el sustrato de la oblea a
una temperatura superior a 373,15 K (100 °C) e inferior a 773,15 K (500 °C);
b. Equipos diseñados para fabricar un contacto metálico realizando todos los
procesos siguientes:
1. Proceso de plasma de tratamiento de superficie utilizando un generador de
plasma remoto y un filtro de iones; y
2. Deposición de una capa de cobalto selectivamente sobre cobre utilizando
un precursor de compuesto organometálico;
c. Equipos diseñados para fabricar un contacto metálico realizando todos los
procesos siguientes:
1. Deposición de una capa de nitruro de titanio (TiN) o carburo de tungsteno
(WC), utilizando un precursor de compuesto organometálico, manteniendo el
sustrato de la oblea a una temperatura superior a 293,15 K (20 °C) e inferior a
773,15 K (500 °C);
2. Deposición de una capa de cobalto utilizando una técnica de deposición física
por pulverización catódica y que tiene una presión de proceso mayor que
1,33x10-1 Pa (1 mTorr) y menor que 1,33x101 Pa (100 mTorr), mientras se
mantiene el sustrato de la oblea a una temperatura menor que 773,15 K (500 °C);
y
3. Deposición de una capa de cobalto utilizando un compuesto organometálico
y que tiene una presión de proceso mayor que 1,33x102 Pa (1 Torr) y menor
que 1,33x104 Pa (100 Torr), mientras se mantiene el sustrato de la oblea a una
temperatura mayor que 293,15 K (20 °C) y menor que 773,15 K (500 °C);
d. Equipos diseñados para fabricar interconexiones de cobre (Cu) mediante la
realización de todos los procesos siguientes:
1. Deposición de una capa de cobalto o rutenio utilizando un precursor de
compuesto organometálico y que tenga una presión de proceso superior a
1,33x102 Pa (1 Torr) y menor a 1,33x104 Pa (100 Torr), mientras se mantiene el
sustrato de la oblea a una temperatura superior a 293,15 K (20 °C) y menor a
773,15 K (500 °C); y
2. Deposición de una capa de cobre utilizando una técnica de deposición física
de vapor que tenga una presión de proceso superior a 1,33x10-1 Pa (1 mTorr) y
menor a 1,33x101 Pa (100 mTorr), mientras se mantiene el sustrato de la oblea
a una temperatura inferior a 773,15 K (500 °C);
3E915
Tecnología para la fabricación de equipos para la fabricación de
semiconductores especificados en 3B910.
cve: BOE-A-2025-10778
Verificable en https://www.boe.es
Núm. 131
Sábado 31 de mayo de 2025
Sec. I. Pág. 71010
3E914
Tecnología para la fabricación de equipos para la manufactura de
semiconductores especificados en 3B909.
3B910
Equipos o sistemas de deposición para la fabricación de semiconductores,
según se indica a continuación. Equipos diseñados para el procesamiento en
múltiples etapas en múltiples cámaras y que mantienen un alto vacío o un
entorno inerte durante la transferencia entre etapas del proceso, según se
indica a continuación:
a. Equipos diseñados para fabricar un contacto metálico mediante la
realización de todos los procesos siguientes:
1. Proceso de plasma de tratamiento de superficies que utiliza hidrógeno,
hidrógeno y nitrógeno, o amoníaco (NH3), mientras se mantiene el sustrato de
la oblea a una temperatura superior a 373,15 K (100 °C) e inferior a 773,15 K
(500 °C);
2. Proceso de plasma de tratamiento de superficies que utiliza oxígeno u
ozono, mientras se mantiene el sustrato de la oblea a una temperatura superior
a 313,15 K (40 °C) e inferior a 773,15 K (500 °C); y
3. Deposición de una capa de tungsteno manteniendo el sustrato de la oblea a
una temperatura superior a 373,15 K (100 °C) e inferior a 773,15 K (500 °C);
b. Equipos diseñados para fabricar un contacto metálico realizando todos los
procesos siguientes:
1. Proceso de plasma de tratamiento de superficie utilizando un generador de
plasma remoto y un filtro de iones; y
2. Deposición de una capa de cobalto selectivamente sobre cobre utilizando
un precursor de compuesto organometálico;
c. Equipos diseñados para fabricar un contacto metálico realizando todos los
procesos siguientes:
1. Deposición de una capa de nitruro de titanio (TiN) o carburo de tungsteno
(WC), utilizando un precursor de compuesto organometálico, manteniendo el
sustrato de la oblea a una temperatura superior a 293,15 K (20 °C) e inferior a
773,15 K (500 °C);
2. Deposición de una capa de cobalto utilizando una técnica de deposición física
por pulverización catódica y que tiene una presión de proceso mayor que
1,33x10-1 Pa (1 mTorr) y menor que 1,33x101 Pa (100 mTorr), mientras se
mantiene el sustrato de la oblea a una temperatura menor que 773,15 K (500 °C);
y
3. Deposición de una capa de cobalto utilizando un compuesto organometálico
y que tiene una presión de proceso mayor que 1,33x102 Pa (1 Torr) y menor
que 1,33x104 Pa (100 Torr), mientras se mantiene el sustrato de la oblea a una
temperatura mayor que 293,15 K (20 °C) y menor que 773,15 K (500 °C);
d. Equipos diseñados para fabricar interconexiones de cobre (Cu) mediante la
realización de todos los procesos siguientes:
1. Deposición de una capa de cobalto o rutenio utilizando un precursor de
compuesto organometálico y que tenga una presión de proceso superior a
1,33x102 Pa (1 Torr) y menor a 1,33x104 Pa (100 Torr), mientras se mantiene el
sustrato de la oblea a una temperatura superior a 293,15 K (20 °C) y menor a
773,15 K (500 °C); y
2. Deposición de una capa de cobre utilizando una técnica de deposición física
de vapor que tenga una presión de proceso superior a 1,33x10-1 Pa (1 mTorr) y
menor a 1,33x101 Pa (100 mTorr), mientras se mantiene el sustrato de la oblea
a una temperatura inferior a 773,15 K (500 °C);
3E915
Tecnología para la fabricación de equipos para la fabricación de
semiconductores especificados en 3B910.
cve: BOE-A-2025-10778
Verificable en https://www.boe.es
Núm. 131
