BOLETÍN OFICIAL DEL ESTADO
Núm. 131

Sábado 31 de mayo de 2025

Sec. I. Pág. 71009

3E910

Tecnología para la fabricación de circuitos integrados que tienen una o más
unidades de procesamiento digital, especificados en 3A907.

3B906

Equipos para la fabricación de dispositivos o materiales semiconductores, y
componentes y accesorios especialmente diseñados para ellos. Equipos de
deposición para la fabricación de semiconductores. Equipos de deposición de
capas atómicas (ALD), diseñados para la deposición de un «metal con función
de trabajo» compuesto de carburo de aluminio y titanio (TiAlC) y que tengan
una función de trabajo superior a 4,0 eV, y que tengan todas las siguientes
características:
1. Más de una fuente de metal, de las cuales una funciona como fuente de
precursor de aluminio; y
2. Un recipiente de precursor diseñado para funcionar a una temperatura
superior o igual a 303,15 K (30 °C);
Nota técnica:
A los efectos del apartado 3B906, un «metal con función de trabajo» es un
material que controla el voltaje umbral de un transistor.

3E911

Tecnología para la fabricación de equipos para la manufactura de dispositivos o
materiales semiconductores especificados en 3B906.

3B907

Equipos para la fabricación de dispositivos o materiales semiconductores, y
componentes y accesorios diseñados especialmente para ellos. Equipos
diseñados para la deposición mejorada por plasma sin huecos de una capa
con una constante dieléctrica inferior a 3,3, en «espacios» que tienen una
«relación de aspecto» igual o superior a 1:1 y un ancho inferior a 25 nm.
Notas técnicas:
A los efectos de 3B907:
1. Un «espacio» es el espacio entre líneas de metal.
2. La «relación de aspecto» (profundidad:ancho) se define como la relación
entre la profundidad y el ancho del espacio entre las líneas de metal.

3E912

Tecnología para la fabricación de equipos para la manufactura de dispositivos o
materiales semiconductores especificados en 3B907.

3B908

Equipos de deposición para la fabricación de semiconductores. Equipos de
deposición de capas atómicas (ALD) según se indica a continuación:
a. Equipos diseñados para la deposición de tungsteno para llenar una
interconexión completa o en un canal de menos de 40 nm de ancho;
b. Equipos diseñados para la “deposición selectiva de área” de una barrera de
pared lateral de metal o nitruro metálico utilizando un precursor de compuesto
organometálico;
Nota técnica:
A los efectos de 3.B.1.k.1.b, “deposición selectiva de área” se refiere a la
deposición de material en la pared lateral pero no en la parte inferior de una
característica.

3E913

Tecnología para la fabricación de equipos para la deposición de capas
atómicas especificados en 3B908.

3B909

Equipos o sistemas de deposición para la fabricación de semiconductores,
según se indica a continuación:
1. Equipos diseñados para procesos de deposición electrolítica de cobalto o de
deposición electrolítica de cobalto;
2. Equipos diseñados para la deposición química en fase de vapor (CVD) de
metal de relleno de cobalto (Co);
3. Equipos diseñados para la deposición química en fase de vapor (CVD)
“selectiva de abajo hacia arriba” de metal de relleno de tungsteno.
Nota técnica:
A los efectos de 3B909, “selectiva de abajo hacia arriba” se refiere a la
deposición preferencial de material en la parte inferior en relación con la pared
lateral.

cve: BOE-A-2025-10778
Verificable en https://www.boe.es

los valores para el procesamiento de matrices densas (por ejemplo, sin
escasez).