Ministerio de Economía, Comercio y Empresa. I. Disposiciones generales. Comercio exterior. (BOE-A-2025-10778)
Orden ECM/551/2025, de 30 de mayo, por la que se modifican los anexos I.1, III.1, III.3, III.4 y III.5 del Reglamento de control del comercio exterior de material de defensa, de otro material y de productos y tecnologías de doble uso, aprobado por el Real Decreto 679/2014, de 1 de agosto.
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No ocultamos, cambiamos o tergiversamos la información, simplemente somos un altavoz organizado de los boletines oficiales de España.
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BOLETÍN OFICIAL DEL ESTADO
Núm. 131
Sábado 31 de mayo de 2025
Sec. I. Pág. 71007
3E905
Tecnología para el desarrollo o la producción de equipos de equipos de
litografía, especificados en 3B903.
3B904
Equipos para la fabricación de dispositivos o materiales semiconductores,
según se indica a continuación, y componentes y accesorios especialmente
diseñados para ellos:
a. Equipo diseñado para crecimiento epitaxial como se indica a continuación:
2. Equipo diseñado o modificado para producir una capa de cualquier material
distinto de silicona con un espesor uniforme de menos de ± 2,5 % a lo largo de
una distancia de 75 mm o más;
3. Reactores de deposición química en fase de vapor de metal orgánico
(MOCVD) diseñados para el crecimiento epitaxial de materiales
semiconductores compuestos que tienen dos o más de los siguientes
elementos: aluminio, galio, indio, arsénico, fósforo, antimonio o nitrógeno.;
4. Equipos de crecimiento epitaxial por haz molecular utilizando fuentes
gaseosas o sólidas;
5. Equipo diseñado para el crecimiento epitaxial de silicio (Si) o silicio
germanio (SiGe), y que tenga todas las características siguientes:
a. Al menos una cámara de prelimpieza diseñada para proporcionar un medio
de preparación de la superficie para limpiar la superficie de la oblea; y
b. Una cámara de deposición epitaxial diseñada para funcionar a una
temperatura inferior a 958 K (685 °C).
Nota 3B906.a.1 y 3.B906.a.4 incluye equipos de crecimiento epitaxial de capa
atómica (ALE).
3E906
Tecnología para la fabricación de dispositivos o materiales semiconductores,
especificados en 3B904.
3B904
Películas especialmente diseñadas para litografía ultravioleta extrema.
Nota técnica:
A los efectos del apartado 3B904, una «película» es una membrana integrada
en un marco, diseñada para proteger una máscara o retícula de la
contaminación por partículas.
3E907
Tecnología para la fabricación de dispositivos o materiales semiconductores,
especificados en 3B904.
3B905
Conjuntos, módulos o dispositivos electrónicos que contienen uno o más
dispositivos lógicos programables (FPLD) configurables por el usuario y que
tienen un 'recuento de entradas de tabla de búsqueda agregada' mayor o igual
a 1.800.000.
N.B.: Para artículos que tengan FPLD combinados con un convertidor
analógico a digital, clasificados para temperaturas de funcionamiento
extendidas o reforzados contra la radiación, o que tengan funcionalidad
criptográfica, consultar también los artículos 3A002.h., 4A001.a y 5A002.a
respectivamente, recogidos en el Reglamento (UE) 2021/821 de 20 de mayo
de 2021.
Notas técnicas:
A los efectos de 3.A.2.i.:
1. “Configurable por el usuario” significa que un usuario puede configurar o
modificar las celdas lógicas o las interconexiones entre celdas lógicas dentro
de la estructura lógica del FPLD para prescribir la función específica que
realiza el elemento 3B905.
2. “recuento de entrada de tabla de búsqueda agregada” es la suma del
número de entradas independientes disponibles para cada tabla de búsqueda
programable (LUT), acumulada en todas las LUT físicas contenidas dentro de
un FPLD u otro elemento programable. Los siguientes son ejemplos de cálculo
del “recuento de entrada de tabla de búsqueda agregada”. Un ejemplo es: una
placa de circuito que contiene 2 FPGA, cada uno con 150.000 LUT
programables con 6 entradas, tendría un “recuento de entrada de tabla de
búsqueda agregada” de 2 X 150.000 X 6 = 1.800.000.
cve: BOE-A-2025-10778
Verificable en https://www.boe.es
‘El valor máximo de precisión para posicionar la oblea durante la exposición’ se
le conoce también por precisión de posicionamiento de la máquina.
Núm. 131
Sábado 31 de mayo de 2025
Sec. I. Pág. 71007
3E905
Tecnología para el desarrollo o la producción de equipos de equipos de
litografía, especificados en 3B903.
3B904
Equipos para la fabricación de dispositivos o materiales semiconductores,
según se indica a continuación, y componentes y accesorios especialmente
diseñados para ellos:
a. Equipo diseñado para crecimiento epitaxial como se indica a continuación:
2. Equipo diseñado o modificado para producir una capa de cualquier material
distinto de silicona con un espesor uniforme de menos de ± 2,5 % a lo largo de
una distancia de 75 mm o más;
3. Reactores de deposición química en fase de vapor de metal orgánico
(MOCVD) diseñados para el crecimiento epitaxial de materiales
semiconductores compuestos que tienen dos o más de los siguientes
elementos: aluminio, galio, indio, arsénico, fósforo, antimonio o nitrógeno.;
4. Equipos de crecimiento epitaxial por haz molecular utilizando fuentes
gaseosas o sólidas;
5. Equipo diseñado para el crecimiento epitaxial de silicio (Si) o silicio
germanio (SiGe), y que tenga todas las características siguientes:
a. Al menos una cámara de prelimpieza diseñada para proporcionar un medio
de preparación de la superficie para limpiar la superficie de la oblea; y
b. Una cámara de deposición epitaxial diseñada para funcionar a una
temperatura inferior a 958 K (685 °C).
Nota 3B906.a.1 y 3.B906.a.4 incluye equipos de crecimiento epitaxial de capa
atómica (ALE).
3E906
Tecnología para la fabricación de dispositivos o materiales semiconductores,
especificados en 3B904.
3B904
Películas especialmente diseñadas para litografía ultravioleta extrema.
Nota técnica:
A los efectos del apartado 3B904, una «película» es una membrana integrada
en un marco, diseñada para proteger una máscara o retícula de la
contaminación por partículas.
3E907
Tecnología para la fabricación de dispositivos o materiales semiconductores,
especificados en 3B904.
3B905
Conjuntos, módulos o dispositivos electrónicos que contienen uno o más
dispositivos lógicos programables (FPLD) configurables por el usuario y que
tienen un 'recuento de entradas de tabla de búsqueda agregada' mayor o igual
a 1.800.000.
N.B.: Para artículos que tengan FPLD combinados con un convertidor
analógico a digital, clasificados para temperaturas de funcionamiento
extendidas o reforzados contra la radiación, o que tengan funcionalidad
criptográfica, consultar también los artículos 3A002.h., 4A001.a y 5A002.a
respectivamente, recogidos en el Reglamento (UE) 2021/821 de 20 de mayo
de 2021.
Notas técnicas:
A los efectos de 3.A.2.i.:
1. “Configurable por el usuario” significa que un usuario puede configurar o
modificar las celdas lógicas o las interconexiones entre celdas lógicas dentro
de la estructura lógica del FPLD para prescribir la función específica que
realiza el elemento 3B905.
2. “recuento de entrada de tabla de búsqueda agregada” es la suma del
número de entradas independientes disponibles para cada tabla de búsqueda
programable (LUT), acumulada en todas las LUT físicas contenidas dentro de
un FPLD u otro elemento programable. Los siguientes son ejemplos de cálculo
del “recuento de entrada de tabla de búsqueda agregada”. Un ejemplo es: una
placa de circuito que contiene 2 FPGA, cada uno con 150.000 LUT
programables con 6 entradas, tendría un “recuento de entrada de tabla de
búsqueda agregada” de 2 X 150.000 X 6 = 1.800.000.
cve: BOE-A-2025-10778
Verificable en https://www.boe.es
‘El valor máximo de precisión para posicionar la oblea durante la exposición’ se
le conoce también por precisión de posicionamiento de la máquina.
