Ministerio de Economía, Comercio y Empresa. I. Disposiciones generales. Comercio exterior. (BOE-A-2025-10778)
Orden ECM/551/2025, de 30 de mayo, por la que se modifican los anexos I.1, III.1, III.3, III.4 y III.5 del Reglamento de control del comercio exterior de material de defensa, de otro material y de productos y tecnologías de doble uso, aprobado por el Real Decreto 679/2014, de 1 de agosto.
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No ocultamos, cambiamos o tergiversamos la información, simplemente somos un altavoz organizado de los boletines oficiales de España.
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BOLETÍN OFICIAL DEL ESTADO
Sábado 31 de mayo de 2025
Sec. I. Pág. 71013
3E920
Tecnología para la fabricación de Amplificadores de señal paramétricos
especificados en 3B910.
3B913
Máscaras “ultravioleta extremo” “EUV” y retículas “EUV”, diseñadas para
circuitos integrados, no especificadas en el artículo 3B001.g del Reglamento
(UE) 2021/821, y que tengan un “sustrato en blanco” de máscara especificado
en el artículo 3B001.j del mencionado Reglamento;
Nota técnica:
A los efectos de 3B913, las máscaras o retículas con una película montada se
consideran máscaras y retículas.
3E921
Tecnología para la fabricación de máscaras “ultravioleta extremo” “EUV” y
retículas “EUV”, especificados en 3B913.
3C901
Materiales epitaxiales que consisten en un “sustrato” que tiene al menos una
capa epitaxialmente desarrollada de cualquiera de los siguientes:
a. Silicio que tiene una impureza isotópica menor al 0,08 % de isótopos de
silicio distintos del silicio-28 o silicio-30; o
b. Germanio que tiene una impureza isotópica menor al 0,08 % de isótopos de
germanio distintos del germanio-70, germanio-72, germanio-74 o germanio-76.
3C902
Fluoruros, hidruros o cloruros de silicio o germanio que contienen cualquiera de
los siguientes:
a. Silicio que tiene una impureza isotópica menor al 0,08 % de isótopos de
silicio distintos del silicio-28 o silicio-30; o
b. Germanio que tiene una impureza isotópica inferior al 0,08 % de isótopos de
germanio distintos del germanio-70, germanio-72, germanio-74 o germanio-76.
3C903
Silicio, óxidos de silicio, germanio u óxidos de germanio que contengan
cualquiera de los siguientes:
a. Silicio que tiene una impureza isotópica inferior al 0,08 % de isótopos de
silicio distintos del silicio-28 o silicio-30; o
b. Germanio que tiene una impureza isotópica inferior al 0,08 % de isótopos de
germanio distintos del germanio-70, germanio-72, germanio-74 o germanio-76.
Nota:
3C903 incluye “sustratos”, trozos, lingotes, bolas y preformas.
3E922
Tecnología para la fabricación de los materiales, especificados en 3C901,
3C902 y 3C903.
3B914
Equipo de sondeo criogénico de obleas que tenga todas las características
siguientes:
a. Diseñado para probar dispositivos a temperaturas inferiores o iguales a
4,5 K (268,65°C); y
b. Diseñado para adaptarse a diámetros de obleas superiores o iguales a
100 mm.
3E923
Tecnología para la fabricación de equipos de sondeo criogénico, especificados
en 3B914.
3E924
Tecnología” según la Nota General de Tecnología para el “desarrollo” o
“producción” de circuitos o dispositivos integrados, utilizando estructuras de
“transistor de efecto de campo de puerta envolvente” (“GAAFET”).
Nota 1: 3E924 incluye “instrucciones de proceso”.
Nota 2: 3E924. no aplica para la calificación o el mantenimiento de
herramientas.
Nota técnica:
A los efectos de 3E924., una “instrucción de proceso” es un conjunto de
condiciones, parámetros e instrucciones para un paso de proceso en particular.
3D902
“Software” especialmente diseñado para el “uso” de equipos especificados en
3B902.
3E923
Tecnología para la programación de software, especificados en 3D914.
cve: BOE-A-2025-10778
Verificable en https://www.boe.es
Núm. 131
Sábado 31 de mayo de 2025
Sec. I. Pág. 71013
3E920
Tecnología para la fabricación de Amplificadores de señal paramétricos
especificados en 3B910.
3B913
Máscaras “ultravioleta extremo” “EUV” y retículas “EUV”, diseñadas para
circuitos integrados, no especificadas en el artículo 3B001.g del Reglamento
(UE) 2021/821, y que tengan un “sustrato en blanco” de máscara especificado
en el artículo 3B001.j del mencionado Reglamento;
Nota técnica:
A los efectos de 3B913, las máscaras o retículas con una película montada se
consideran máscaras y retículas.
3E921
Tecnología para la fabricación de máscaras “ultravioleta extremo” “EUV” y
retículas “EUV”, especificados en 3B913.
3C901
Materiales epitaxiales que consisten en un “sustrato” que tiene al menos una
capa epitaxialmente desarrollada de cualquiera de los siguientes:
a. Silicio que tiene una impureza isotópica menor al 0,08 % de isótopos de
silicio distintos del silicio-28 o silicio-30; o
b. Germanio que tiene una impureza isotópica menor al 0,08 % de isótopos de
germanio distintos del germanio-70, germanio-72, germanio-74 o germanio-76.
3C902
Fluoruros, hidruros o cloruros de silicio o germanio que contienen cualquiera de
los siguientes:
a. Silicio que tiene una impureza isotópica menor al 0,08 % de isótopos de
silicio distintos del silicio-28 o silicio-30; o
b. Germanio que tiene una impureza isotópica inferior al 0,08 % de isótopos de
germanio distintos del germanio-70, germanio-72, germanio-74 o germanio-76.
3C903
Silicio, óxidos de silicio, germanio u óxidos de germanio que contengan
cualquiera de los siguientes:
a. Silicio que tiene una impureza isotópica inferior al 0,08 % de isótopos de
silicio distintos del silicio-28 o silicio-30; o
b. Germanio que tiene una impureza isotópica inferior al 0,08 % de isótopos de
germanio distintos del germanio-70, germanio-72, germanio-74 o germanio-76.
Nota:
3C903 incluye “sustratos”, trozos, lingotes, bolas y preformas.
3E922
Tecnología para la fabricación de los materiales, especificados en 3C901,
3C902 y 3C903.
3B914
Equipo de sondeo criogénico de obleas que tenga todas las características
siguientes:
a. Diseñado para probar dispositivos a temperaturas inferiores o iguales a
4,5 K (268,65°C); y
b. Diseñado para adaptarse a diámetros de obleas superiores o iguales a
100 mm.
3E923
Tecnología para la fabricación de equipos de sondeo criogénico, especificados
en 3B914.
3E924
Tecnología” según la Nota General de Tecnología para el “desarrollo” o
“producción” de circuitos o dispositivos integrados, utilizando estructuras de
“transistor de efecto de campo de puerta envolvente” (“GAAFET”).
Nota 1: 3E924 incluye “instrucciones de proceso”.
Nota 2: 3E924. no aplica para la calificación o el mantenimiento de
herramientas.
Nota técnica:
A los efectos de 3E924., una “instrucción de proceso” es un conjunto de
condiciones, parámetros e instrucciones para un paso de proceso en particular.
3D902
“Software” especialmente diseñado para el “uso” de equipos especificados en
3B902.
3E923
Tecnología para la programación de software, especificados en 3D914.
cve: BOE-A-2025-10778
Verificable en https://www.boe.es
Núm. 131
