II. Autoridades y personal. - B. Oposiciones y concursos. UNIVERSIDADES. Personal de administración y servicios. (BOE-A-2023-23099)
Resolución de 2 de noviembre de 2023, de la Universidad de Salamanca, por la que se convoca proceso selectivo para la provisión, por el sistema general de acceso libre, de plazas de personal laboral de los Grupos I, II, III y IVA.
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No ocultamos, cambiamos o tergiversamos la información, simplemente somos un altavoz organizado de los boletines oficiales de España.
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BOLETÍN OFICIAL DEL ESTADO
Martes 14 de noviembre de 2023
Sec. II.B. Pág. 150907
11. Fundamentos de microscopía electrónica de barrido (SEM - Scanning Electron
Microscopy). Principales componentes de un SEM. Procedimiento de puesta en marchar,
espera y parada segura. Sistemas auxiliares del SEM: funcionamiento y mantenimiento.
Preparación de la muestra y su inserción. Protocolos de actuación y mantenimiento del
SEM.
12. Adquisición de imágenes de alta resolución con un microscopio de barrido
(SEM). Descripción detallada de los procesos de adquisición de imágenes y del
procedimiento de elección y optimización de parámetros.
13. Litografía electrónica mediante haz de electrones (EBL - Electron Beam
Lithography) con un SEM. Software y hardware para el control de un SEM para su
utilización para procesos de EBL: Sistema Elphy-Plus de Raith. Protocolo de actuación y
de mantenimiento.
14. Fundamentos de la evaporación de metales por cañón de electrones a alto
vacío. Protocolos de actuación y seguridad y medidas previas. Procesos de control y
carga y descarga de muestras. Mantenimiento de la evaporadora y reposición y
preparación de los blancos. Labores y procedimientos de mantenimiento del cañón de
electrones.
15. Procedimiento para la evaporación de capas de espesores nanométricos de Au,
Ti y Cr mediante una evaporadora de cañón de electrones. Descripción detallada del
proceso de evaporación detallando los principales aspectos a tener en cuenta y la
optimización de parámetros.
16. Fundamentos del grabado seco por plasma de iones (ICP-RIE Inductive
Coupled Plasma-Reactive Ion Etching). Descripción de las principales partes del
equipamiento y su correcta utilización y mantenimiento incluidos los equipos auxiliares.
17. Optimización de un proceso de grabado seco en ICP-RIE. Fundamentos y
métodos de optimización. Mezcla de gases, presiones y temperaturas y su influencia
sobre el perfil del grabado. Grabado criogénico (Cryoetching) con ICP-RIE.
18. Litografía electrónica y óptica para la fabricación de dispositivos electrónicos:
principales ventajas y desventajas. Describir un proceso completo para la fabricación de
dispositivos electrónicos con grabado ICP-RIE y deposición de metales con evaporadora
de haz de electrones. Caracterización preliminar en mesa de puntas, encapsulado y
micro-soldadura.
19. Fundamentos y parámetros principales de un proceso de litografía electrónica.
Magnificación, campo de escritura y dosis. Efecto proximidad en la nanolitografía
electrónica EBL. Soluciones y corrección del efecto de proximidad.
20. Proceso de litografía electrónica en obleas con y sin marcas de alineamiento.
Descripción detallada del procedimiento a seguir.
21. Técnicas de caracterización óptica: Espectroscopía Raman y FTIR (Fourier
Transform InfraRed spectroscopy).
22. Fabricación de materiales 2D mediante exfoliación mecánica. Fabricación de
heteroestructuras de materiales 2D. Control del ángulo entre capas. Puertas inferiores de
grafito y puertas superiores y antenas.
23. Fabricación de transistores de efecto campo (FET con doble puerta) y barras
Hall sobre heteroestructuras de materiales 2D con y sin puerta inferior de grafito.
24. Sistemas de magneto-transporte para caracterización de dispositivos
electrónicos. Criostatos de tubos pulsados. Sistemas de temperatura variable (VTI) y
sistemas de helio3. Imanes superconductores. Protocolos de seguridad y mantenimiento
de los equipos.
25. Caracterización mediante magneto-transporte a bajas temperaturas y altos
campos magnéticos. Efecto hall clásico y cuántico. Movilidad y densidad de carga
electrónica.
cve: BOE-A-2023-23099
Verificable en https://www.boe.es
Núm. 272
Martes 14 de noviembre de 2023
Sec. II.B. Pág. 150907
11. Fundamentos de microscopía electrónica de barrido (SEM - Scanning Electron
Microscopy). Principales componentes de un SEM. Procedimiento de puesta en marchar,
espera y parada segura. Sistemas auxiliares del SEM: funcionamiento y mantenimiento.
Preparación de la muestra y su inserción. Protocolos de actuación y mantenimiento del
SEM.
12. Adquisición de imágenes de alta resolución con un microscopio de barrido
(SEM). Descripción detallada de los procesos de adquisición de imágenes y del
procedimiento de elección y optimización de parámetros.
13. Litografía electrónica mediante haz de electrones (EBL - Electron Beam
Lithography) con un SEM. Software y hardware para el control de un SEM para su
utilización para procesos de EBL: Sistema Elphy-Plus de Raith. Protocolo de actuación y
de mantenimiento.
14. Fundamentos de la evaporación de metales por cañón de electrones a alto
vacío. Protocolos de actuación y seguridad y medidas previas. Procesos de control y
carga y descarga de muestras. Mantenimiento de la evaporadora y reposición y
preparación de los blancos. Labores y procedimientos de mantenimiento del cañón de
electrones.
15. Procedimiento para la evaporación de capas de espesores nanométricos de Au,
Ti y Cr mediante una evaporadora de cañón de electrones. Descripción detallada del
proceso de evaporación detallando los principales aspectos a tener en cuenta y la
optimización de parámetros.
16. Fundamentos del grabado seco por plasma de iones (ICP-RIE Inductive
Coupled Plasma-Reactive Ion Etching). Descripción de las principales partes del
equipamiento y su correcta utilización y mantenimiento incluidos los equipos auxiliares.
17. Optimización de un proceso de grabado seco en ICP-RIE. Fundamentos y
métodos de optimización. Mezcla de gases, presiones y temperaturas y su influencia
sobre el perfil del grabado. Grabado criogénico (Cryoetching) con ICP-RIE.
18. Litografía electrónica y óptica para la fabricación de dispositivos electrónicos:
principales ventajas y desventajas. Describir un proceso completo para la fabricación de
dispositivos electrónicos con grabado ICP-RIE y deposición de metales con evaporadora
de haz de electrones. Caracterización preliminar en mesa de puntas, encapsulado y
micro-soldadura.
19. Fundamentos y parámetros principales de un proceso de litografía electrónica.
Magnificación, campo de escritura y dosis. Efecto proximidad en la nanolitografía
electrónica EBL. Soluciones y corrección del efecto de proximidad.
20. Proceso de litografía electrónica en obleas con y sin marcas de alineamiento.
Descripción detallada del procedimiento a seguir.
21. Técnicas de caracterización óptica: Espectroscopía Raman y FTIR (Fourier
Transform InfraRed spectroscopy).
22. Fabricación de materiales 2D mediante exfoliación mecánica. Fabricación de
heteroestructuras de materiales 2D. Control del ángulo entre capas. Puertas inferiores de
grafito y puertas superiores y antenas.
23. Fabricación de transistores de efecto campo (FET con doble puerta) y barras
Hall sobre heteroestructuras de materiales 2D con y sin puerta inferior de grafito.
24. Sistemas de magneto-transporte para caracterización de dispositivos
electrónicos. Criostatos de tubos pulsados. Sistemas de temperatura variable (VTI) y
sistemas de helio3. Imanes superconductores. Protocolos de seguridad y mantenimiento
de los equipos.
25. Caracterización mediante magneto-transporte a bajas temperaturas y altos
campos magnéticos. Efecto hall clásico y cuántico. Movilidad y densidad de carga
electrónica.
cve: BOE-A-2023-23099
Verificable en https://www.boe.es
Núm. 272
