I. Disposiciones generales. MINISTERIO DE INDUSTRIA, COMERCIO Y TURISMO. Comercio exterior. (BOE-A-2023-12785)
Orden ICT/534/2023, de 26 de mayo, por la que se modifican los anexos I.1, III.2 y III.5 del Reglamento de control del comercio exterior de material de defensa, de otro material y de productos y tecnologías de doble uso, aprobado por el Real Decreto 679/2014, de 1 de agosto.
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No ocultamos, cambiamos o tergiversamos la información, simplemente somos un altavoz organizado de los boletines oficiales de España.
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BOLETÍN OFICIAL DEL ESTADO
Núm. 129
Miércoles 31 de mayo de 2023
Sec. I. Pág. 75052
f. Unión del campo de visión por superposición inferior a 50 nm; y
g. Voltaje de aceleración superior a 21 kV;
Nota:
3.B.901. Incluye equipos de microscopios electrónicos de barrido diseñados
para la reparación de chips.
3.E.901. Tecnología para el desarrollo o la producción de microscopios
electrónicos de barrido especificados en 3.B.901.
3.D.901. Software diseñado para extraer GDSII o datos de diseño estándar
equivalentes y realizar una alineación de capa a capa a partir de imágenes de
microscopios electrónicos de barrido, y generar una lista de conexión de circuito o
datos GDSII de varias capas.
Nota técnica:
Por GDSII (Graphic Design System II) se entiende un formato de archivo de
base de datos para el intercambio de datos de ilustraciones de circuitos integrados
o ilustraciones de diseños de circuitos integrados.
3.E.902. Tecnología para el desarrollo o la producción de software
especificado en 3.D.901.
3.B.902. Equipo diseñado para el grabado seco que tenga cualquiera de las
siguientes características:
1. Equipos diseñados o modificados para el grabado seco isotrópico, que
tengan una selectividad en el grabado de silicio-germanio respecto al silicio
(SiGe:Si) mayor o igual que 100:1; o
2. Equipo diseñado o modificado para el grabado anisotrópico seco, que
tenga todas las siguientes características;
a. Fuentes de energía de radiofrecuencia con al menos una salida de
radiofrecuencia pulsada;
b. Válvulas de conmutación rápida de gas con tiempo de conmutación inferior
a 300 milisegundos; y
c. Abrazadera electrostática con veinte o más elementos de temperatura
variable controlables.
Nota 1:
3.B.902. incluye grabado por radicales, iones, reacciones secuenciales o
reacciones no secuenciales.
3.B.902. incluye el grabado con plasma excitado por pulsos de radio
frecuencia, plasma excitado con ciclo de trabajo pulsado, plasma modificado con
voltaje pulsado en electrodos, inyección cíclica y purga de gases combinados con
plasma, grabado de capa atómica de plasma o grabado de capa cuasi atómica de
plasma.
Nota técnica 1:
A efectos de 3.B.902., la selectividad en el grabado de silicio-germanio
respecto al silicio (SiGe:Si) se mide para una concentración de Ge superior o igual
al 30 % (Si0,70Ge0,30).
Nota técnica 2:
A los efectos de 3.B.902, radical se define como un átomo, molécula o ion que
tiene un electrón desapareado en una configuración de capa de electrones abierta.
cve: BOE-A-2023-12785
Verificable en https://www.boe.es
Nota 2:
Núm. 129
Miércoles 31 de mayo de 2023
Sec. I. Pág. 75052
f. Unión del campo de visión por superposición inferior a 50 nm; y
g. Voltaje de aceleración superior a 21 kV;
Nota:
3.B.901. Incluye equipos de microscopios electrónicos de barrido diseñados
para la reparación de chips.
3.E.901. Tecnología para el desarrollo o la producción de microscopios
electrónicos de barrido especificados en 3.B.901.
3.D.901. Software diseñado para extraer GDSII o datos de diseño estándar
equivalentes y realizar una alineación de capa a capa a partir de imágenes de
microscopios electrónicos de barrido, y generar una lista de conexión de circuito o
datos GDSII de varias capas.
Nota técnica:
Por GDSII (Graphic Design System II) se entiende un formato de archivo de
base de datos para el intercambio de datos de ilustraciones de circuitos integrados
o ilustraciones de diseños de circuitos integrados.
3.E.902. Tecnología para el desarrollo o la producción de software
especificado en 3.D.901.
3.B.902. Equipo diseñado para el grabado seco que tenga cualquiera de las
siguientes características:
1. Equipos diseñados o modificados para el grabado seco isotrópico, que
tengan una selectividad en el grabado de silicio-germanio respecto al silicio
(SiGe:Si) mayor o igual que 100:1; o
2. Equipo diseñado o modificado para el grabado anisotrópico seco, que
tenga todas las siguientes características;
a. Fuentes de energía de radiofrecuencia con al menos una salida de
radiofrecuencia pulsada;
b. Válvulas de conmutación rápida de gas con tiempo de conmutación inferior
a 300 milisegundos; y
c. Abrazadera electrostática con veinte o más elementos de temperatura
variable controlables.
Nota 1:
3.B.902. incluye grabado por radicales, iones, reacciones secuenciales o
reacciones no secuenciales.
3.B.902. incluye el grabado con plasma excitado por pulsos de radio
frecuencia, plasma excitado con ciclo de trabajo pulsado, plasma modificado con
voltaje pulsado en electrodos, inyección cíclica y purga de gases combinados con
plasma, grabado de capa atómica de plasma o grabado de capa cuasi atómica de
plasma.
Nota técnica 1:
A efectos de 3.B.902., la selectividad en el grabado de silicio-germanio
respecto al silicio (SiGe:Si) se mide para una concentración de Ge superior o igual
al 30 % (Si0,70Ge0,30).
Nota técnica 2:
A los efectos de 3.B.902, radical se define como un átomo, molécula o ion que
tiene un electrón desapareado en una configuración de capa de electrones abierta.
cve: BOE-A-2023-12785
Verificable en https://www.boe.es
Nota 2:
